IPP60R360P7XKSA1晶体管FET，MOSFET 通孔 N 通道 650 V 9A

原厂料号：IPP60R360P7XKSA1品牌：INFINEON

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 2.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 140μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

13 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

555 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

41W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP60R360

• 芯片型号：

  IPP60R360P7XKSA1

• 规格书：

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• 企业简称：

  INFINEON【英飞凌】详情

• 厂商全称：

  Infineon Technologies AG

• 中文名称：

  英飞凌科技公司

• 资料说明：

  RF & MICROWAVE PRODUCT SOLUTIONS 6.04 - Bulk