供应存储器S29GL256P10TFI010

原厂料号：S29GL256P10TFI010品牌：赛普拉斯

存储器S29GL256P10TFI010 系列由1 Gb、512 Mb、256 Mb和128mb组成，仅限3.0伏的页面模式Flash设备，为当今嵌入式设计进行了优化，嵌入式设计需要较大的存储阵列和丰富的功能。存储器S29GL256P10TFI010 这些设备是使用90纳米镜面技术制造的。存储器S29GL256P10TFI010 这些产品提供统一的64 Kword (128 Kbyte)统一扇区，并具有万能控制功能，允许控制和I/O信号从1.65 V运行到VCC。Additional 特性 include: Single 字 编程 或 32-word 编程 缓冲 增加 编程 速度 Program Suspend/Resume 和 Erase Suspend/Resume Advanced Sector Protection 方法 保护 部门 要求 128 年 words/256 字节 的 Secured Silicon 区域 来 存储 客户 和 工厂 的 安全 信息安全的硅段是一次性可编程的。

存储器S29GL256P10TFI010 字节#引脚控制设备数据I/O引脚是否在字节或字配置中操作。如果将字节#引脚设置为逻辑“1”，则设备处于word配置中，DQ0-DQ15是活动的，并由CE#和OE#控制。如果将字节#引脚设置为逻辑“0”，则设备处于字节配置中，只有数据I/O引脚DQ0-DQ7是活动的，并由CE#和OE#控制。数据I/O引脚DQ8-DQ14是三态的，DQ15引脚用作LSB (A-1)地址函数的输入。

leiotm (VIO)控制允许主机系统设置设备对所有输入和输出(地址、控制和DQ信号)产生和容忍的电压水平。VIO的范围是1.65到VCC。有关此设备上的VIO选项，请参阅第4页中的订购信息。例如，VIO的电压为1.65-3.6伏，允许在1.8或3伏级别上进行I/O操作，驱动和接收来自同一数据总线上的其他1.8或3伏设备的信号。

7.4读取所有内存需要访问时间才能输出阵列数据。在读取操作中，每次从一个内存位置读取数据。地址以随机顺序呈现给设备，通过设备的传播延迟导致其输出的数据与输入的地址一起到达。设备默认在设备启动或硬件重置后读取阵列数据。要从内存数组中读取数据，系统必须首先在Amax-A0上断言一个有效地址，同时将OE#和CE#驱动到VIL。我们必须留在VIH。所有地址都锁定在ce#的下端。在地址访问时间(tACC)之后，数据将出现在DQ15-DQ0上，等于从稳定地址到有效输出数据的延迟。OE#信号必须驱动到VIL。假设tACC访问时间已满足，则在访问时间(tOE)从OE#的下降沿经过后，在DQ15-DQ0引脚上输出数据

• 芯片型号：

  S29GL256P10TFI010

• 规格书：

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• 企业简称：

  SPANSION【飞索】详情

• 厂商全称：

  SPANSION

• 中文名称：

  飞索半导体

• 内容页数：

  77 页

• 文件大小：

  2735.51 kb

• 资料说明：

  3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology