详情芯片 零件状态 在售 晶体管类型 NPN-预偏压 电流-集电极(Ic)（最大值） 100mA 电压-集射极击穿（最大值） 50V 电阻器-基极(R1) 4.7kOhms 电阻器-发射极(R2) 47kOhms 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值） 100@10mA，5V 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值） 100mV@250 PDTC143ZU,115晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 200 mW 表面贴装型 SOT-323
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