详情芯片 零件状态 停产 FET类型 P通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100V 25°C时电流-连续漏极(Id) 13A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） 205毫欧@7.8A，10V 不同Id时Vgs(th)（最大值） 4V@250μA 不同Vgs时栅极电荷(Qg AUIRFR5410TRL晶体管 FET，MOSFET 表面贴装型 P 通道 100 V 13A
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